AD7794/AD7795
参数
逻辑的输出（包括CLK ）
V
OH
，输出电压高
2
V
OL
，输出低电压
V
OH
，输出电压高
V
OL
，输出低电压
浮态泄漏电流
浮态输出电容
数据输出编码
系统校准
2
满量程校准极限
零刻度校准极限
输入范围
电源要求
电源电压
AV
DD
到GND
DV
DD
到GND
电源电流
I
DD
当前
AD7794/AD7795
DV
DD
− 0.6
0.4
4
0.4
±10
10
偏移二进制码
1.05 × FS
-1.05 × FS
0.8 × FS
2.1 × FS
单位
V分钟
V最大
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的典型值
测试条件/评论
DV
DD
= 3 V，I
来源
= 100 μA
DV
DD
= 3 V，I
SINK
= 100 μA
DV
DD
= 5 V，I
来源
= 200 μA
DV
DD
= 5 V，I
SINK
= 1.6 MA（ DOUT / RDY ） ， 800 μA （ CLK ）
V最大
V分钟
V分钟
V最大
2.7/5.25
2.7/5.25
140
185
400
500
V最小/最大
V最小/最大
μA（最大值）
μA（最大值）
μA（最大值）
μA（最大值）
μA（最大值）
μA（最大值）
110 μA （典型值） @ AV
DD
= 3 V ， 125 μA （典型值） @ AV
DD
= 5 V,
非缓冲模式下，外部参考
130 μA （典型值） @ AV
DD
= 3 V ， 165 μA （典型值） @ AV
DD
= 5 V,
缓冲模式下，增益= 1或2 ，外部基准
300 μA （典型值） @ AV
DD
= 3 V ， 350 μA （典型值） @ AV
DD
= 5 V,
增益= 4 128 ，外部参考
400 μA （典型值） @ AV
DD
= 3 V ， 450 μA （典型值） @ AV
DD
= 5 V,
增益= 4 128 ，内部参考
AD7794B ， AD7795B
AD7794C
I
DD
（省电模式）
1
2
1
温度范围： B级： -40°C至+ 105 ° C， C级： -40 ° C至+ 125°C 。在19.6赫兹和39.2 Hz的更新速率， INL ，电源抑制（ PSR ） ，共
模抑制（ CMR ） ，和正常模抑制（ NMR ）不符合数据表规范，如果在AIN （ + ）或AIN电压（ - ）引脚超过AV
DD
– 1.6 V
典型的。此外，失调误差和失调误差漂移这些更新率时，斩波禁用下降。当这个电压超过， INL为
例如，降低到18 ppm的FS的典型而对PSR减小到69分贝典型。因此，保证了性能这些更新速率，绝对
电压模拟输入引脚应该低于AVDD - 1.6 V.
2
规格未经生产测试，但支持产品初始发布时的特性数据。
3
以下的校准，这种错误是在噪声对选定的编程增益和更新速率的顺序。
4
校准在任何温度下去除这些误差。
5
满量程误差适用于正反两方面的全面，并应用在工厂校准条件（ AV
DD
= 4 V，增益= 1 ，T
A
= 25°C).
6
FS [ 3：0]是在模式寄存器用来选择输出字速率的4比特。
7
数字输入等于DV
DD
或GND与激励电流和偏置电压发生器禁用。
修订版D |第36 7
AD [ ANALOG DEVICES ]
