AD768
参考输出
100M
内部2.5 V带隙基准提供了代
在我的
REFIN
电流，并且必须使用外部补偿
0.1电容器
µF
以上从REFOUT到REFCOM 。如果
外部参考时， REFOUT应直接挂钩
到正电源电压V
DD
。这可以有效地截止了
内部参考，省去了外部电容
器在REFOUT 。参考被指定给驱动的标称
负载为5mA ，最大的15 mA 。操作同一个
较重的负载将导致电源抑制降解，
基准电压准确度。因此，参考输出
应该用一个放大器时，额外的负载电流进行缓冲
租金是必需的。一个适当大小的上拉电阻也可
用于源附加电流给负载。电阻值
应选择使得REFOUT总是源一
至少5 mA至IREFIN和附加负载。
AD768
6 IREFIN
3 REFOUT
C
REFCOMP
1µF
5 REFCOM
10M
带宽 - 赫兹
1M
100k
10k
1k
10p
100p
1n
10n
100n
1µ
降噪电容 - ˚F
500Ω
图7.外部降噪电容主场迎战-3分贝
带宽
图6.典型的参考联播
考虑温度因素
注意，参考起着整体温度关键作用
在AD768的TURE性能。我任何漂移
REFIN
显示出来
直接在我
出。
当输出被取为一个电流，该漂移
我
REFIN
（这取决于两个V
REF
和R
REF
）必须是微型
而得到优化。这可以通过使用内部温度来完成的COM
对于V补偿的参考
REF
和低的温度系数
电阻器的R
REF 。
如果输出被取为一个电压，它是一个功能
化的电阻率，而不是绝对的电阻值。通过选择 -
荷兰国际集团与电阻相匹配的温度系数的R
REF
和R
负载，
在电阻值漂移将取消，提供
最佳的漂移性能。
参考降噪和倍增
带宽
在NR节点的敏感性要求小心上当
电容布局。该电容应放置在physi-
美云靠近封装管脚尽可能和引线长度
应该被最小化。为此目的，使用一个芯片的
电容。对于应用程序不需要
高频调制在IREFIN ，则建议
的1的数量级上的电容器
µF
从N R个被连接到V
EE
.
如果参考输入是纯粹的DC ，噪声可以用最小化
多个电容器，如1-
µF
和0.1
µF,
以更有效地
滤除高频和低频干扰。
模拟输出
该AD768提供了两路模拟输出; IOUTA被修剪
最佳INL和DNL性能，并具有满量程输出
当所有位都为高。对于需要在指定的应用程序
直流精度， IOUTA应该被使用。 IOUTB是完井
甘南满量程输出输出时，所有位都很低。
无论IOUTA和IOUTB提供类似的动态perfor-
曼斯。参阅图8和图9为典型INL和DNL per-
formance曲线。的输出也可以用于差分。
请参见“应用的AD768 ”为VARI-的例子
OU的输出配置。
8
6
4
INL误差 - LSB
对于应用程序的灵活性和乘以能力，为参考
ENCE放大器设计提供可调带宽，可以
通过从N R个连接外部电容器来减小
节点到负电源管脚，V
EE
。该电容的限制
带宽，并作为一个过滤器，以减少噪声的贡献
从基准放大器。
降噪电容C
NR
时，不需要对稳定性
并且不影响DAC的输出的建立时间。与 -
出此电容，我
REFIN
带宽为15 MHz，从而可以
DAC满量程范围，通过高频调制
参考输入节点。图7示出的关系BE-
吐温外部降噪电容器和一3dB
带宽参考放大器。
2
0
–2
–4
–6
–8
0
5
10
15
20 25 30 35 40 45
数字输入码 - K
50
55
60
65
图8.典型的INL性能
版本B
–7–
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