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    APT11GP60BDQB 参数 Datasheet PDF下载

    APT11GP60BDQB图片预览
    型号： APT11GP60BDQB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
    分类和应用： 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 210 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第7页  
    10
    t
    D（关闭）
    ，关断延迟时间（纳秒）
    t
    D（上）
    ，导通延迟时间（纳秒）
    70
    60
    V
    GE
    =
    15V,T
    J
    =125°C
    APT11GP60BDQB
    8
    V
    GE
    = 15V
    6
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    V
    CE
    = 400V
    R
    G
    = 5Ω
    L = 100 μH
    V
    GE
    =
    15V,T
    J
    =25°C
    4
    V
    CE
    = 400V
    T
    J
    = 25 ° C，T
    J
    =125°C
    R
    G
    = 5Ω
    L = 100 μH
    5
    2
    10
    15
    20
    25
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图9 ，导通延迟时间与集电极电流
    16
    14
    12
    t
    r,
    上升时间（纳秒）
    t
    f,
    下降时间（纳秒）
    R
    G
    =
    5Ω, L
    =
    100
    µ
    H，V
    CE
    =
    400V
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
    120
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    R
    =
    5Ω, L
    =
    100
    µ
    H，V
    CE
    =
    400V
    G
    10
    8
    6
    4
    2
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图11 ，电流上升时间与集电极电流
    500
    V
    CE
    = 400V
    L = 100 μH
    R
    G
    = 5Ω
    T
    J
    =
    125°C ，V
    GE
    =
    5V
    T
    J
    =
    25或125°C ，V
    GE
    =
    15V
    T
    J
    =
    25 ° C，V
    GE
    =
    15V
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图12 ，电流下降时间与集电极电流
    600
    E
    关闭
    ，关闭能量损失（ μJ ）
    E
    ON2
    ，开启能量损失（ μJ ）
    400
    T
    J
    = 125°C ，V
    GE
    =15V
    500
    400
    300
    200
    100
    T
    =
    125°C ，V
    GE
    =
    15V
    J
    300
    V
    CE
    = 400V
    L = 100 μH
    R
    G
    = 5Ω
    200
    100
    T
    J
    = 25 ° C，V
    GE
    =15V
    T
    J
    =
    25 ° C，V
    GE
    =
    15V
    5
    10
    15
    20
    25
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
    600
    开关损耗（ μJ ）
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    I
    CE
    ，集电极到发射极电流（ A）
    图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
    600
    V
    CE
    = 400V
    V
    GE
    = +15V
    R
    G
    = 5Ω
    0
    500
    400
    300
    200
    100
    0
    E
    关闭
    22A
    E
    on2
    22A
    V
    CE
    = 400V
    V
    GE
    = +15V
    T
    J
    = 125°C
    开关损耗（ μJ ）
    500
    400
    300
    E
    关闭
    22A
    E
    on2
    11A
    E
    关闭
    11A
    E
    on2
    5.5A
    E
    关闭
    5.5A
    0
    E
    on2
    22A
    200
    100
    0
    E
    关闭
    11A
    E
    on2
    11A
    3-2005
    REV A
    E
    on2
    5.5A
    E
    关闭
    5.5A
    0
    050-7447
    10
    20
    30
    40
    50
    R
    G
    ，栅极电阻（欧姆）
    图15 ，开关损耗与栅极电阻
    25
    50
    75
    100
    125
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图16 ，开关损耗VS结温

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