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    APT11GP60BDQB 参数 Datasheet PDF下载

    APT11GP60BDQB图片预览
    型号： APT11GP60BDQB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
    分类和应用： 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 210 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APT11GP60BDQB的Datasheet PDF文件第7页  
    典型性能曲线
    40
    35
    I
    C
    ，集电极电流（ A）
    VGE = 15V 。
    250μs的脉冲测试
    <0.5 ％占空比
    40
    35
    I
    C
    ，集电极电流（ A）
    APT11GP60BDQB
    VGE = 10V 。
    250μs的脉冲测试
    <0.5 ％占空比
    30
    25
    20
    T
    C
    =125°C
    15
    10
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    CE
    ，集气器 - 发射极电压（ V）
    250μs的脉冲测试
    <0.5 ％占空比
    30
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    T
    C
    =-55°C
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =-55°C
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =125°C
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    CE
    ，集气器 - 发射极电压（ V）
    I
    C
    = 11A
    T
    J
    = 25°C
    图1中，输出特性（Ⅴ
    GE
    = 15V)
    80
    70
    I
    C
    ，集电极电流（ A）
    V
    GE
    ，门极 - 发射极电压（V ）
    图2中，输出特性（Ⅴ
    GE
    = 10V)
    16
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25 30
    栅极电荷（ NC）
    图4中，栅极电荷
    35
    40
    V
    CE
    = 120V
    V
    CE
    = 300V
    V
    CE
    = 480V
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    0
    TJ = -55°C
    TJ = 25°C
    TJ = 125°C
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GE
    ，门极 - 发射极电压（V ）
    图3 ，传输特性
    TJ = 25°C 。
    250μs的脉冲测试
    <0.5 ％占空比
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（V ）
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（V ）
    3.5
    3.0
    2.5
    I
    C
    =
    22A
    3.0
    2.5
    I
    C
    =
    11A
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    I
    C
    =
    5.5A
    I
    C
    =
    22A
    I
    C
    =
    11A
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0
    I
    C
    =
    5.5A
    8
    10
    12
    14
    16
    V
    GE
    ，门极 - 发射极电压（V ）
    图5 ，通态电压VS门极 - 发射极电压
    1.10
    6
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图6 ，通态电压VS结温
    60
    0
    -50
    VGE = 15V 。
    250μs的脉冲测试
    <0.5 ％占空比
    BV
    CES
    ，集电极 - 发射极击穿
    电压（归）
    I
    C,
    DC集电极电流（ A）
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    -50
    1.05
    1.00
    0.95
    050-7447
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图7 ，击穿电压与结温
    0.90
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75 100 125 150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    图8 ， DC集电极电流与外壳温度
    REV A
    3-2005

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