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APT100GN60LDQ4 参数 Datasheet PDF下载

APT100GN60LDQ4图片预览
型号: APT100GN60LDQ4
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内容描述: IGBT [IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 450 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
APT100GN60LDQ4(G)
超快软恢复反并联二极管
最大额定值
符号
I
F
(AV)
I
F
( RMS)
I
FSM
符号
V
F
特性/测试条件
最大平均正向电流(T
C
= 108 ° C,占空比= 0.5 )
RMS正向电流(方波,占空比为50% )
非重复正向浪涌电流(T
J
= 45 ° C, 8.3ms的)
特性/测试条件
I
F
= 100A
正向电压
I
F
= 200A
I
F
= 100A ,T
J
= 125°C
特征
反向恢复时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
最大反向恢复电流
0.35
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.30
0.25
0.20
0.5
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.3
0.1
0.05
0.05
10
-4
注意:
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT100GN60LDQ4
单位
安培
100
156
1000
典型值
最大
单位
静态电气特性
1.6
2.05
1.28
-
典型值
34
最大
单位
ns
nC
2.2
动态特性
符号
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
测试条件
I
F
= 1A ,二
F
/ DT = -100A / μs的,V
R
= 30V ,T
J
= 25°C
I
F
= 100A ,二
F
/ DT = -200A / μs的
V
R
= 400V ,T
C
= 25°C
-
-
-
-
I
F
= 100A ,二
F
/ DT = -200A / μs的
V
R
= 400V ,T
C
= 125°C
160
290
5
220
1530
13
100
2890
44
-
-
安培
ns
nC
安培
ns
nC
安培
-
-
-
I
F
= 100A ,二
F
/ DT = -1000A /微秒
V
R
= 400V ,T
C
= 125°C
-
-
D = 0.9
0.7
PDM
t1
t2
单脉冲
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间(秒)
图24A 。最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳与脉冲持续时间
遥控模型
连接点
TEMP (℃)
外壳温度( ° C)
图24B ,瞬态热阻抗模型
050-7622
0.0743
5.17
REV A
动力
(瓦特)
0.188
0.361
10-2005
0.0673
0.0182