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APT100GN60LDQ4 参数 Datasheet PDF下载

APT100GN60LDQ4图片预览
型号: APT100GN60LDQ4
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内容描述: IGBT [IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 450 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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40
t
D(上)
,导通延迟时间(纳秒)
35
30
25
20
15
10
5
0
0
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
或125°C
R
G
= 1.0Ω
L = 100μH
500
t
D(关闭)
,关断延迟时间(纳秒)
V
GE
= 15V
APT100GN60LDQ4(G)
400
300
V
GE
=15V,T
J
=125°C
200
V
GE
=15V,T
J
=25°C
100
25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9 ,导通延迟时间与集电极电流
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图10 ,关闭延迟时间与集电极电流
0
V
CE
=
400V
R
G
=
1.0Ω
L = 100μH
250
R
G
=
1.0Ω, L
=
100
µ
H,V
CE
=
400V
140
120
100
80
60
40
20
R
G
=
1.0Ω, L
=
100
µ
H,V
CE
=
400V
200
t
f,
下降时间(纳秒)
t
r,
上升时间(纳秒)
T
J
=
125°C ,V
GE
=
15V
150
100
50
T
J
=
25或125°C ,V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
15V
25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11 ,电流上升时间与集电极电流
0
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图12 ,电流下降时间与集电极电流
0
25
E
ON2
,开启能量损失(兆焦耳)
E
关闭
,关闭能量损失(兆焦耳)
V
= 400V
CE
V
= +15V
GE
R = 1.0Ω
G
8
7
6
5
4
3
2
1
0
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 1.0Ω
G
20
T
J
=
125°C
T
J
=
125°C
15
10
5
T
J
=
25°C
T
J
=
25°C
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图13 ,开启能量损耗VS集电极电流
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图14 ,关闭能量损失VS集电极电流
开关损耗(兆焦耳)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
J
开关损耗(兆焦耳)
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
T = 125°C
25
E
on2,
200A
= 400V
V
CE
= +15V
V
GE
R = 1.0Ω
G
E
on2,
200A
20
15
10
E
关,
200A
E
on2,
100A
E
关,
100A
E
on2,
50A
E
关,
50A
10-2005
E
关,
200A
E
关,
100A
E
on2,
100A
5
REV A
E
on2,
50A
E
关,
50A
050-7622
20
15
10
5
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图15 ,开关损耗与栅极电阻
125
100
75
50
25
T
J
,结温( ° C)
图16 ,开关损耗VS结温
0
0