APT1002R4BNR-BUTT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT1002R4BNR-BUTT
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内容描述：	[Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲高压局域网高电压电源
文件页数/大小：	4 页 / 54 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

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APT1002R/1002R4BN

APT1002RBN

10,000

10µS

100µS

C，电容（pF ）

ç国际空间站

1,000

APT1002R4BN

操作点这里

限于由R

（上）

，漏极电流（安培）

APT1002RBN

APT1002R4BN

1mS

ç OSS

100

CRSS

TC = + 25°C

TJ = + 150°C

单脉冲

10mS

100mS

APT1002R/1002R4BN

5 10

50 100

1000

，漏极至源极电压（伏）

图10 ，最大安全工作区

，栅极至源极电压（伏）

I = I [续]

，漏极至源极电压（伏）

图11 ，典型电容VS漏极至源极电压

，反向漏电流（安培）

100

VDS=100V

VDS=200V

TJ = + 150°C

TJ = + 25°C

VDS = 500V

100

，总栅极电荷（ NC）

图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压

1.0

1.5

2.0

，源极到漏极电压（伏）

图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压

TO- 247AD封装外形

4.69 (.185)

5.31 (.209)

1.49 (.059)

2.49 (.098)

6.15 （ 0.242 ） BSC

15.49 (.610)

16.26 (.640)

5.38 (.212)

6.20 (.244)

漏

20.80 (.819)

21.46 (.845)

3.55 (.140)

3.81 (.150)

4.50 （ 0.177 ）最大。

0.40 (.016)

0.79 (.031)

2.87 (.113)

3.12 (.123)

1.65 (.065)

2.13 (.084)

19.81 (.780)

20.32 (.800)

1.01 (.040)

1.40 (.055)

门

漏

来源

050-0009修订版B

2.21 (.087)

2.59 (.102)

5.45 （ 0.215 ） BSC

2-Plcs.

尺寸以毫米（英寸）

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