APT1002R4BNR-BUTT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT1002R4BNR-BUTT
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内容描述：	[Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲高压局域网高电压电源
文件页数/大小：	4 页 / 54 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

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APT1002R/1002R4BN

VGS = 5.5 ， 6 & 10V

，漏极电流（安培）

VGS = 10V

5.5V

4.5V

100

400

200

300

500

，漏极至源极电压（伏）

图2 ，典型输出特性

TJ = -55°C

，漏极电流（安培）

VDS> I D （ON ）× R DS（ ON）的最大值。

230μ秒。脉冲测试

，漏极至源极电压（伏）

图3 ，典型输出特性

（ON ），漏极至源极导通电阻

2.5

中T = 25℃

TJ = + 25°C

TJ = + 125°C

2.0

2μ SEC 。脉冲测试

归一

= 10V @ 0.5 I [续]

1.5

VGS = 10V

VGS = 20V

1.0

TJ = + 125°C

TJ = + 25°C

TJ = -55°C

0.5

，栅极至源极电压（伏）

图4 ，一般传输特性

，漏极电流（安培）

0.0

，漏极电流（安培）

图5中，R

（ ON）与漏电流

DSS

（ON ），漏极 - 源极击穿

电压（归）

（ TH ），阈值电压

（归一化）

1.2

APT1002RBN

1.1

APT1002R4BN

1.0

0.9

0.8

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

图6 ，最大漏极电流与外壳温度

（ON ），漏极至源极导通电阻

（归一化）

2.5

I = 0.5 I [续]

-25

25 50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

图7 ，击穿电压与温度

1.4

0.7

-50

= 10V

2.0

1.2

1.5

1.0

0.8

0.5

0.6

050-0009修订版B

0.0

-50

-25

25 50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

图8 ，导通电阻与温度

25 50 75 100 125 150

，外壳温度（ ° C）

图9 ，阈值电压与温度

0.4

-50 -25

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