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APT45GP120B2DQ2G 参数 Datasheet PDF下载

APT45GP120B2DQ2G图片预览
型号: APT45GP120B2DQ2G
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 439 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT45GP120B2DQ2(G)  
120  
100  
80  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
T
V
= 125°C  
= 800V  
J
R
80A  
40A  
T
= 175°C  
J
20A  
60  
40  
T
= 25°C  
J
T
= 125°C  
J
20  
0
T
= -55°C  
3
J
0
1
2
4
0
200  
400  
600  
800 1000 1200  
-di /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/µs)  
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change  
V , ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)  
F
F
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage  
5000  
4500  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
35  
T
V
= 125°C  
= 800V  
T
V
= 125°C  
= 800V  
R
J
J
80A  
R
30  
25  
20  
15  
10  
5
80A  
40A  
40A  
20A  
1500  
1000  
500  
0
20A  
0
0
200  
400  
600  
800 1000 1200  
0
200  
400  
600  
800 1000 1200  
-di /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/µs)  
-di /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/µs)  
F
F
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change  
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change  
1.2  
80  
Q
rr  
Duty cycle = 0.5  
T
= 175°C  
J
t
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
rr  
1.0  
t
rr  
0.8  
I
RRM  
0.6  
0.4  
Q
rr  
0.2  
0.0  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
25  
50  
75  
Case Temperature (°C)  
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature  
100  
125  
150  
175  
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature  
200  
150  
100  
50  
0
1
10  
100 200  
V , REVERSE VOLTAGE (V)  
R
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage