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APT45GP120B2DQ2G 参数 Datasheet PDF下载

APT45GP120B2DQ2G图片预览
型号: APT45GP120B2DQ2G
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 439 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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TYPICAL PERFORMANCE CURVES  
APT45GP120B2DQ2(G)  
90  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
80  
70  
60  
50  
TJ = 25°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
40  
TJ = 125°C  
30  
20  
10  
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0  
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)  
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)  
V
V
CE  
CE  
FIGURE 1, Output Characteristics(T = 25°C)  
FIGURE 2, Output Characteristics (T = 125°C)  
J
J
160  
16  
14  
12  
250µs PULSE  
TEST<0.5 % DUTY  
CYCLE  
I
T
= 45A  
= 25°C  
C
J
140  
120  
100  
80  
V
= 240V  
CE  
TJ = -55°C  
V
= 600V  
CE  
10  
8
V
= 960V  
TJ = 25°C  
CE  
6
60  
4
40  
TJ = 125°C  
2
20  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200  
GATE CHARGE (nC)  
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)  
GE  
FIGURE 3, Transfer Characteristics  
FIGURE 4, Gate Charge  
5
4
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
TJ = 25°C.  
250µs PULSE TEST  
<0.5 % DUTY CYCLE  
I
= 90A  
C
I
= 90A  
C
I
= 45A  
C
I
= 45A  
C
3
2
I
= 22.5A  
C
I
= 22.5A  
C
1
0
VGE = 15V.  
250µs PULSE TEST  
<0.5 % DUTY CYCLE  
.05  
0
6
8
10  
12  
14  
16  
0
25  
50  
75  
100  
125  
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)  
T , Junction Temperature (°C)  
GE  
J
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage  
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature  
1.20  
160  
140  
120  
100  
1.15  
1.10  
1.05  
1.00  
0.95  
0.90  
80  
Lead Temperature  
Limited  
60  
40  
20  
0
0.85  
0.80  
-50 -25  
0
25  
50  
75  
100 125  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
T , CASE TEMPERATURE (°C)  
J
C
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature  
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature