5SNA 1800E170100
800
700
600
500
E
REC
[兆焦耳]
400
300
E
REC
200
100
E
REC
[兆焦耳= -6 ×10
-5
X我
F 2
+ 0.371 ×1
F
+ 65
1600
I
rr
1400
1200
E
REC
[兆焦耳] ,Q
rr
[µC]
1000
800
600
V
CC
= 900 V
R
G
= 0.82欧姆
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 60 nH的
400
200
0
0
1000
2000
I
F
[A]
900
800
700
600
500
R
G
= 2.2欧姆
1800
I
rr
1600
1400
Q
rr
R
G
= 0.82欧姆
Q
rr
[ μC ] ,我
rr
[A]
R
G
= 0.56欧姆
Q
rr
1200
1000
800
600
V
CC
= 900 V
I
F
= 1800 A
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 60 nH的
5
6
7
8
9
10
400
200
0
400
300
200
100
0
1
2
3
4
R
G
= 6.8欧姆
R
G
= 3.9欧姆
E
REC
0
3000
4000
R
G
= 5.6欧姆
di / dt的[千安/微秒
图。 12
典型的反向恢复特性
VS正向电流
图。 13
典型的反向恢复特性
VS的di / dt
3600
3200
2800
2400
2000
1600
25°C
125°C
4000
3600
3200
2800
2400
V
CC
≤
1200 V
的di / dt
≤
9000 A / μs的
T
vj
= 125 °C
I
F
[A]
I
R
[A]
2000
1600
1200
800
400
0
0
0.5
1
V
F
[V]
1.5
2
2.5
1200
800
400
0
0
500
1000
V
R
[V]
1500
2000
图。 14
典型的二极管正向特性,
芯片级
图。 15
安全工作区二极管( SOA )
ABB瑞士公司,半导体公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
文档。第5SYA 1554年至1503年11月4日
第8 9
R
G
= 1.5欧姆
I
rr
[A]