5SNA 1800E170100
IGBT特征值
参数
收集器（发射极）
击穿电压
集电极 - 发射极
4)
饱和电压
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
3)
符号
V
（ BR ） CES
V
CE坐
I
CES
I
GES
V
GE （ TO ）
Q
ge
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 10毫安，T
vj
= 25 °C
I
C
= 1800 ，V
GE
= 15 V
V
CE
= 1700 V, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
1700
2.0
2.3
典型值
最大
单位
V
2.3
2.6
50
2.6
2.9
12
120
500
6.5
V
V
mA
mA
nA
V
µC
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V，T
vj
= 125 °C
I
C
= 240毫安， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 °C
I
C
= 1800 ，V
CE
= 900 V,
V
GE
= -15 V .. 15 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1MHz时，
T
vj
= 25 °C
V
CC
= 900 V,
I
C
= 1800 A,
R
G
= 0.82
Ω,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 60 nH的，感性负载
V
CC
= 900 V,
I
C
= 1800 A,
R
G
= 0.82
Ω,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 60 nH的，感性负载
V
CC
= 900 V，I
C
= 1800 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 0.82
Ω,
L
σ
= 60 nH的，感性负载
V
CC
= 900 V，I
C
= 1800 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 0.82
Ω,
L
σ
= 60 nH的，感性负载
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
-500
4.5
15.1
166
16.5
6.98
290
300
230
250
920
1000
215
230
380
nF
ns
ns
ns
ns
导通开关能量
E
on
mJ
550
560
mJ
700
8500
10
A
nH
mΩ
关断开关能量
短路电流
模块的杂散电感
性，终端芯片
3)
4)
E
关闭
I
SC
L
σ
CE
R
CC' + EE '
t
PSC
≤
10
μs,
V
GE
= 15 V ，T
vj
= 125 °C,
V
CC
= 1200 V, V
CEM CHIP
≤
1700 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0.06
0.085
9 - 根据IEC 60747的特征值
集电极 - 发射极饱和电压给定的芯片级
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA 1554年至1503年11月4日
第2 9
ABB [ THE ABB GROUP ]
