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AP40T10GH 参数 Datasheet PDF下载

AP40T10GH图片预览
型号: AP40T10GH
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 5 页 / 133 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP40T10GH
125
80
T
C
=25 C
100
o
10V
T
C
= 175 C
o
10V
7.0V
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
7.0V
75
60
6 .0V
40
6.0V
50
5.0 V
V
G
= 4.5 V
20
5.0V
25
V
G
=4.5V
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
4
8
12
16
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
50
2.8
I
D
= 10 A
T
C
=25
o
C
归一化ř
DS ( ON)
2
4
6
8
10
2.4
I
D
=15A
V
G
=10V
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
40
2.0
1.6
30
1.2
0.8
20
0.4
-50
0
50
100
150
200
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.8
20
16
归V
GS ( TH)
(V)
12
T
j
=175
o
C
T
j
=25
o
C
1.2
I
S
(A)
8
0.6
4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
200
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3