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    AP40T10GH 参数 Datasheet PDF下载

    AP40T10GH图片预览
    型号： AP40T10GH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 5 页 / 133 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP40T10GH的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP40T10GH的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP40T10GH的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP40T10GH的Datasheet PDF文件第5页  
    AP40T10GH
    电气特性@ T
    j
    =25
    o
    ℃（除非另有规定）
    符号
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    参数
    漏源击穿电压
    静态漏源导通电阻
    2
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =1mA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =15A
    V
    GS
    = 6V ，我
    D
    =10A
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =125
    o
    C)
    分钟。
    100
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    14.5
    -
    -
    -
    24
    5.4
    9.6
    9
    64
    19
    75
    270
    85
    MAX 。单位
    -
    35
    38
    4
    -
    10
    100
    ±100
    40
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    mΩ
    mΩ
    V
    S
    uA
    uA
    nA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    pF
    pF
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    =15A
    V
    DS
    =80V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =80V ,V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±20V
    I
    D
    =40A
    V
    DS
    =50V
    V
    GS
    =10V
    V
    DS
    =50V
    I
    D
    =40A
    R
    G
    =2.5Ω,V
    GS
    =10V
    R
    D
    =1.25Ω
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =25V
    f=1.0MHz
    栅源漏
    总栅极电荷
    2
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    2
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    1310 2100
    源极 - 漏极二极管
    符号
    V
    SD
    参数
    正向电压上
    2
    反向恢复时间
    2
    反向恢复电荷
    测试条件
    I
    S
    = 30A ，V
    GS
    =0V
    I
    S
    =30A,
    V
    GS
    =0
    V
    ,
    dI/dt=100A/µs
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    60
    125
    MAX 。单位
    1.2
    -
    -
    V
    ns
    nC
    t
    rr
    Q
    rr
    注意事项：
    1.Pulse宽度有限的最大。结温。
    2.Pulse测试
    本产品对静电敏感的，请小心处理。
    本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
    设备或系统都没有授权。
    2

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