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AP30N30WI 参数 Datasheet PDF下载

AP30N30WI图片预览
型号: AP30N30WI
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 114 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP30N30WI
f=1.0MHz
16
10000
I
D
= 15 A
V
GS
,门源电压( V)
12
C
国际空间站
1000
V
DS
= 120 V
V
DS
= 160 V
V
DS
= 200 V
C( pF)的
C
OSS
8
100
4
10
C
RSS
0
0
20
40
60
80
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
0.2
I
D
(A)
100us
10
1ms
10ms
0.1
0.1
0.05
30
P
DM
t
0.02
0.01
1
T
c
=25
o
C
单脉冲
0.1
1
10
100
100ms
1s
DC
1000
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
40
V
DS
=5V
I
D
,漏电流( A)
30
V
G
o
T
j
=25 C
T
j
=150
o
C
Q
G
10V
20
Q
GS
Q
GD
10
201216053-1/4
收费
Q
0
0
2
4
6
8
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
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