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AP30N30WI 参数 Datasheet PDF下载

AP30N30WI图片预览
型号: AP30N30WI
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 114 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP30N30WI
50
40
T
C
= 25 C
40
o
10V
7.0V
6.0V
I
D
,漏电流( A)
T
C
= 150
o
C
30
10V
7.0V
6.0V
5.0V
I
D
,漏电流( A)
30
20
20
5.0V
V
G
=4. 5 V
10
10
V
G
=4. 5 V
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
190
2.8
I
D
=15A
T
C
=25 C
150
o
2.3
I
D
=15A
V
G
=10V
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
归一化ř
DS ( ON)
1.8
110
1.3
30
70
0.8
30
2
4
6
8
10
0.3
-50
0
50
100
150
V
GS
栅极 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
15
12
1.5
I
S
(A)
9
o
T
j
=150 C
6
归V
GS ( TH)
(V)
1.5
42
T
j
=25
o
C
1.0
0.5
3
201216053-1/4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4