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AP2531GY 参数 Datasheet PDF下载

AP2531GY图片预览
型号: AP2531GY
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 86 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2531GY
P沟道
f=1.0MHz
12
1000
-V
GS
,门源电压( V)
I
D
=-2A
V
DS
=-10V
9
C
国际空间站
6
C( pF)的
100
C
OSS
C
RSS
3
0
0
3
6
9
12
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
10
100us
-I
D
(A)
1
0.2
1ms
10ms
0.1
0.1
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 180℃/W
0.05
0.1
o
T
A
=25 C
单脉冲
100ms
1s
DC
10
100
0.01
0.2
单脉冲
0.01
0.1
1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
10
V
DS
=-5V
8
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
-I
D
,漏电流( A)
6
T
j
=25 C
o
T
j
=150 C
o
4
2
收费
0
Q
0
1
2
3
4
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
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