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AP2531GY 参数 Datasheet PDF下载

AP2531GY图片预览
型号: AP2531GY
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 86 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2531GY
N沟道
10
10
8
T
A
=25
o
C
I
D
,漏电流( A)
6
I
D
,漏电流( A)
5.0 V
4.5 V
2.5 V
1.8 V
8
T
A
= 150
o
C
5.0 V
4.5 V
2.5 V
1.8 V
6
4
4
V
G
= 1.0 V
2
V
G
= 1.0 V
2
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
320
1.8
I
D
=2A
归一化ř
DS ( ON)
220
I
D
=3A
V
G
=10V
1.4
T
A
=25
o
C
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
120
1.0
20
0
2
4
6
8
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
3
归V
GS ( TH)
(V)
1.5
2
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1.0
1
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4/7