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    AP20P02GH 参数 Datasheet PDF下载

    AP20P02GH图片预览
    型号： AP20P02GH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 6 页 / 85 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP20P02GH的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP20P02GH的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP20P02GH的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP20P02GH的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP20P02GH的Datasheet PDF文件第6页  
    AP20P02GH/J
    8
    10000
    I
    D
    = -8A
    V
    DS
    = -16V
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    6
    1000
    f=1.0MHz
    西塞
    C（ pF）的
    4
    科斯
    100
    2
    CRSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    10
    1
    7
    13
    19
    Q
    G
    ，总栅极电荷（ NC）
    -V
    DS
    (V)
    图9.栅极电荷特性
    图10.典型的电容特性
    100
    1.2
    0.9
    10
    -I
    S
    (A)
    T
    j
    =150
    o
    C
    T
    j
    =25
    o
    C
    -V
    GS （ TH）
    (V)
    1.4
    0.6
    1
    0.3
    0
    0.2
    0.5
    0.8
    1.1
    0
    -50
    0
    50
    100
    150
    -V
    SD
    (V)
    T
    j
    ，结温（
    o
    C)
    图11.正向特性
    反向二极管
    图12.栅极阈值电压V.S.
    结温

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