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AP20P02GH 参数 Datasheet PDF下载

AP20P02GH图片预览
型号: AP20P02GH
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 6 页 / 85 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP20P02GH/J
60
45
T
C
=25
o
C
-4.5V
T
C
=150
o
C
-4.5V
-4.0V
-4.0V
-I
D
,漏电流( A)
40
-I
D
,漏电流( A)
-3.5V
30
-3.5V
-3.0V
-3.0V
20
15
-2.5V
-2.5V
V
GS
= -2.0V
V
GS
= -2.0V
0
0
2
4
6
0
0
2.5
5
7.5
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
160
2
I
D
= -8A
T
c
=25
120
1.4
I
D
= -8A
V
GS
= -4.5V
80
归一化ř
DS ( ON)
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
0.8
40
0
0
3
6
9
12
0.2
-50
0
50
100
150
-V
GS
(V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温