欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP20GT60SW 参数 Datasheet PDF下载

AP20GT60SW图片预览
型号: AP20GT60SW
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 65 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP20GT60SW的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP20GT60SW的Datasheet PDF文件第3页  
AP20GT60SW
200
16
V
GE
,门发射极电压( V)
T
C
=25
o
C
I
C
,集电极电流( A)
160
20V
18V
15V
12V
V
GE
=10V
12
I
C
=20A
V
CC
=480V
120
8
80
4
40
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
20
40
60
80
100
120
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
Q
G
,栅极电荷( NC)
图1.典型的输出特性
图2.栅极电荷特性研究
120
4
V
GE
=15V
100
V
GE
= 15 V
V
CE (SAT) ,
饱和电压(V )
I
C ,
集电极电流( A)
T
C
=25
80
T
C
=150
3
I
C
= 40 A
2
60
I
C
=20A
40
1
20
0
0
0
1
2
3
4
5
6
0
40
80
120
160
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
结温(
o
C)
图3.典型的饱和电压
特征
图4.典型的集电极 - 发射极电压
V.S.结温
f=1.0MHz
1.6
5000
I
C
=10mA
4000
归V
GE (日)
(V)
1.2
电容(pF)
C
IES
3000
0.8
2000
0.4
1000
-
-
C
OES
C
水库
0
-50
0
50
100
150
0
1
5
9
13
17
21
25
29
结温(
o
C )
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图5.栅极阈值电压
图6.典型的电容特性研究
V.S.结温
2