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AP20GT60SW 参数 Datasheet PDF下载

AP20GT60SW图片预览
型号: AP20GT60SW
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内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 65 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP20GT60SW
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
特点
N沟道绝缘栅
双极晶体管
C
高速开关
低饱和电压
V
CE ( SAT )
,Typ.=1.8V@I
C
=20A
内置的快速恢复二极管
V
CES
I
C
600V
20A
C
G
C
E
TO-3P
G
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
@T
C
=25℃
I
C
@T
C
=100℃
I
CM
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
T
L
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
1
1
参数
集电极 - 发射极电压
等级
600
+20
40
20
160
40
125
-55到150
150
300
单位
V
V
A
A
A
A
W
o
o
o
集电极到发射极二极管的正向电流
最大功率耗散
存储温度范围
工作结温范围
C
C
C
最大的铅温度。焊接用
, 8"分之1案件从5秒。
注意事项:
1.脉冲宽度有限的最大值。结温。
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
热阻结案件
热阻结到环境
Rthj -C (二极管)热阻结案件
参数
价值
1
1.5
40
单位
o
o
o
C / W
C / W
C / W
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
I
GES
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
C
OES
C
水库
V
F
t
rr
Q
rr
参数
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
FRD的正向电压
FRD的反向恢复时间
FRD反向恢复电荷
V
GE
=0V
V
CE
=30V
f=1.0MHz
I
F
=20A
I
F
=10A
的di / dt = 100 A / μs的
测试条件
V
GE
=+20V, V
CE
=0V
V
CE
=600V, V
GE
=0V
V
GE
= 15V ,我
C
=20A
V
CE
=V
GE
, I
C
=250uA
I
C
=20A
V
CE
=480V
V
GE
=15V
V
CE
=480V,
I
c
=20A,
V
GE
=15V,
R
G
=5Ω,
感性负载
分钟。
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.8
-
100
24
40
50
20
135
190
0.3
0.9
3400
75
50
1.65
50
80
马克斯。
+100
100
2.3
6
160
-
-
-
-
-
380
-
-
5440
-
-
2
-
-
单位
nA
uA
V
V
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
pF
pF
V
ns
nC
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
201105102