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AP2030SD 参数 Datasheet PDF下载

AP2030SD图片预览
型号: AP2030SD
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 115 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2030SD
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关
G2
S2
G1
S1
D2
D1
D1
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
D1
20V
60mΩ
2.6A
-20V
80mΩ
-2.3A
D2
PDIP-8
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本
有效性。
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
20
±12
2.6
2.1
15
2
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-20
±12
-2.3
-1.8
-10
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
连续漏电流
3
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200728042