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AP2030SD 参数 Datasheet PDF下载

AP2030SD图片预览
型号: AP2030SD
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 115 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2030SD
P沟道
25
25
-4.5V
-4.0V
-3.5V
20
-4.5V
-4.0V
20
-3.5V
-I
D
,漏电流( A)
-3,0V
-I
D
,漏电流( A)
15
15
-3,0V
10
10
V
GS
= - 2.5V
5
V
GS
= - 2.5V
5
T
C
=25
o
C
0
0
1
2
3
4
5
6
T
C
=150
o
C
0
0
1
2
3
4
5
6
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
100
1.8
95
I
D
=-2.2A
T
C
=25
I
D
=-2.2A
1.6
V
GS
= -4.5V
90
85
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
80
归一化ř
DS ( ON)
1.4
75
1.2
70
1
65
60
0.8
55
0.6
50
2
3
4
5
-50
0
50
100
150
-V
GS
(V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温