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AP18P10GS 参数 Datasheet PDF下载

AP18P10GS图片预览
型号: AP18P10GS
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 5 页 / 135 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP18P10GS
40
20
T
C
= 25
o
C
30
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-I
D
,漏电流( A)
T
C
=150
o
C
15
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-I
D
,漏电流( A)
20
10
V
G
= -3.0V
5
10
V
G
= -3.0 V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
300
2.0
270
I
D
= -8 A
T
C
=25
1.6
I
D
= - 12 A
V
G
= -10V
归一化ř
DS ( ON)
240
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
210
1.2
180
0.8
150
120
0.4
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
8
6
1.5
4
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
归-V
GS ( TH)
(V)
-I
S
(A)
1.0
2
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4