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    AP18P10GS 参数 Datasheet PDF下载

    AP18P10GS图片预览
    型号： AP18P10GS
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 5 页 / 135 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP18P10GS的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP18P10GS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP18P10GS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP18P10GS的Datasheet PDF文件第5页  
    AP18P10GS
    电气特性@ T
    j
    =25
    o
    ℃（除非另有规定）
    符号
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    参数
    漏源击穿电压
    静态漏源导通电阻
    3
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =-1mA
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-8A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-6A
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    R
    g
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =25
    o
    C)
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =150
    o
    C)
    分钟。
    -100
    -
    -
    -1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    8
    -
    -
    -
    16
    4.4
    8.7
    9
    14
    45
    40
    110
    70
    8
    MAX 。单位
    -
    160
    200
    -3
    -
    -1
    -25
    ±100
    25.6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    12
    V
    mΩ
    mΩ
    V
    S
    uA
    uA
    nA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    pF
    pF
    Ω
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =-250uA
    V
    DS
    = -10V ，我
    D
    = -8A
    V
    DS
    =-100V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-80V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    = ±20V
    I
    D
    =-8A
    V
    DS
    =-80V
    V
    GS
    =-4.5V
    V
    DS
    =-50V
    I
    D
    =-8A
    R
    G
    =3.3Ω,V
    GS
    =-10V
    R
    D
    =6.25Ω
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-25V
    f=1.0MHz
    f=1.0MHz
    栅源漏
    总栅极电荷
    3
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    3
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    栅极电阻
    1590 2550
    源极 - 漏极二极管
    符号
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    正向电压上
    3
    反向恢复时间
    3
    测试条件
    I
    S
    = -12A ，V
    GS
    =0V
    I
    S
    = -8A ，V
    GS
    =0V,
    dI/dt=-100A/µs
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    49
    110
    MAX 。单位
    -1.3
    -
    -
    V
    ns
    nC
    反向恢复电荷
    注意事项：
    1.Pulse宽度有限的最大。结温。
    2.Starting牛逼
    j
    =25
    o
    C，V
    DD
    = -50V ，L = 1.0mH ，R
    G
    =25Ω.
    3.Pulse测试
    本产品为静电敏感，请小心处理。
    本产品已合格使用消费类应用。应用程序或生命支持
    或其他类似任务关键设备或系统的未经授权。
    2/4

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