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    AP1332EU 参数 Datasheet PDF下载

    AP1332EU图片预览
    型号： AP1332EU
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 70 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP1332EU的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP1332EU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP1332EU的Datasheet PDF文件第4页  
    AP1332EU
    电气特性@ T
    j
    =25
    o
    ℃（除非另有规定）
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /ΔT
    j
    R
    DS （ ON）
    参数
    漏源击穿电压
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    分钟。
    20
    -
    -
    -
    0.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    0.02
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    1.3
    0.3
    0.5
    21
    53
    100
    125
    38
    17
    12
    马克斯。
    -
    -
    600
    850
    1.2
    -
    1
    10
    ±10
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    60
    -
    -
    单位
    V
    V/℃
    mΩ
    mΩ
    V
    S
    uA
    uA
    uA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    pF
    pF
    击穿电压温度系数
    参考25 ℃ ，我
    D
    =1mA
    静态漏源导通电阻
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =600mA
    V
    GS
    = 2.5V ，我
    D
    =400mA
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =25
    o
    C)
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =70
    o
    C)
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    =600mA
    V
    DS
    =20V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =16V ,V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±6V
    I
    D
    =600mA
    V
    DS
    =16V
    V
    GS
    =4.5V
    V
    DS
    =10V
    I
    D
    =600mA
    R
    G
    =3.3Ω,V
    GS
    =5V
    R
    D
    =16.7Ω
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =10V
    f=1.0MHz
    栅源漏
    总栅极电荷
    2
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    2
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    源极 - 漏极二极管
    符号
    V
    SD
    参数
    正向电压上
    2
    测试条件
    I
    S
    = 300毫安，V
    GS
    =0V
    分钟。
    -
    典型值。
    -
    马克斯。
    1.2
    单位
    V
    注意事项：
    1.Pulse宽度有限的最大。结温。
    2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
    3.表面安装在FR4板，T
    ≦
    10秒。

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