AP1332EU 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP1332EU
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 70 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP1332EU

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的栅极驱动器

▼

封装尺寸小

▼

2KV ESD额定值（每MIL -STD- 883D ）

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

600mΩ

600mA

SOT- 323摹

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

低导通电阻和成本效益。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

±6

600

470

2.5

0.35

0.003

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

360

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200712041

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