AP11N50I 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP11N50I
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	4 页 / 99 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP11N50I

3200

f=1.0MHz

，门源电压（ V）

=6A

=400V

2400

C（ pF）的

1600

国际空间站

800

OSS

RSS

，总栅极电荷（ NC）

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

1000

占空比= 0.5

100

归热响应（R

thJC

)

(A)

操作在此

面积受限

DS （ ON）

100us

1ms

0.2

0.1

=25

单脉冲

0.01

0.1

100

10ms

100ms

0.05

0.02

0.01

单脉冲

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

= P

个R

thJC

+ T

0.01

1000

0.0001

0.001

0.01

0.1

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

90%

10V

10%

D（上）

D（关闭）F

收费

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案