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AP11N50I 参数 Datasheet PDF下载

AP11N50I图片预览
型号: AP11N50I
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP11N50I
20
12
T
C
=25 C
16
o
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
10 V
7.0 V
6.0 V
T
C
=150 C
10
o
10V
7.0 V
6.0 V
5.0V
8
12
6
8
V
G
= 4.5V
4
5.0V
4
V
G
= 4.5 V
0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
24.0
2
0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
24.0
28.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
2.8
2.4
I
D
=6A
V
G
=10V
归BV
DSS
(V)
1.1
归一化ř
DS ( ON)
2.0
1
1.6
1.2
0.9
0.8
0.8
-50
0
50
100
150
0.4
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温(
o
C)
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
10
1.5
图4.归一导通电阻
V.S.结温
8
1.3
T
j
=150
o
C
6
T
j
=25
o
C
归V
GS ( TH)
(V)
1.1
I
S
(A)
4
0.9
2
0.7
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.5
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3