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    AP0503GMA 参数 Datasheet PDF下载

    AP0503GMA图片预览
    型号： AP0503GMA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 61 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP0503GMA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP0503GMA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP0503GMA的Datasheet PDF文件第4页  
    AP0503GMA
    电气特性@ T
    j
    =25
    o
    ℃（除非另有规定）
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /ΔT
    j
    参数
    漏源击穿电压
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    分钟。
    30
    -
    -
    -
    -
    0.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    0.018
    -
    -
    -
    -
    88
    -
    -
    -
    52
    8
    21
    19
    83
    60
    115
    620
    360
    0.85
    MAX 。单位
    -
    -
    4.2
    6
    9
    1.2
    -
    1
    25
    ±100
    83
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.3
    V
    V/℃
    mΩ
    mΩ
    mΩ
    V
    S
    uA
    uA
    nA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    pF
    pF
    Ω
    击穿电压温度系数
    参考25 ℃ ，我
    D
    =1mA
    R
    DS （ ON）
    静态漏源导通电阻
    2
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =30A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =30A
    V
    GS
    = 2.5V ，我
    D
    =20A
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    R
    g
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =25
    o
    C)
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =150
    o
    C)
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    =30A
    V
    DS
    =30V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =24V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±12V
    I
    D
    =30A
    V
    DS
    =24V
    V
    GS
    =4.5V
    V
    DS
    =15V
    I
    D
    =30A
    R
    G
    =3.3Ω,V
    GS
    =5V
    R
    D
    =0.5Ω
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =25V
    f=1.0MHz
    f=1.0MHz
    栅源漏
    总栅极电荷
    2
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    2
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    栅极电阻
    5130 8200
    源极 - 漏极二极管
    符号
    V
    SD
    参数
    正向电压上
    2
    测试条件
    I
    S
    = 45A ，V
    GS
    =0V
    I
    S
    =30A,
    V
    GS
    =0
    V
    ,
    dI/dt=100A/µs
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    38
    30
    MAX 。单位
    1.3
    -
    -
    V
    ns
    nC
    t
    rr
    Q
    rr
    反向恢复时间
    2
    反向恢复电荷
    注意事项：
    1.Pulse宽度有限的安全工作区。
    2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
    3.表面安装在FR4板。
    4.Starting牛逼
    j
    =25
    o
    C，V
    DD
    = 25V ，L = 0.1mH ，R
    G
    =25Ω
    2/4

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