AP0503GMA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP0503GMA
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 61 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP0503GMA

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

SO- 8相似的区域占位面积和引脚分配

▼

低栅极驱动电压

▼

导通电阻的降低

▼

符合RoHS

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

30V

4.2mΩ

75A

描述

该APAK -5封装是首选的所有商业，工业表面

装载的应用程序和适用于低电压的应用，如

DC / DC转换器。

s克

APAK-5

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 4.5V

连续漏电流， V

@ 4.5V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

等级

±12

300

0.6

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

价值

马克斯。

1.8

单位

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200429052-1/4

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