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AP04N70BF-H 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP04N70BF-H
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 72 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP04N70BF-H
4.5
40
4
3.5
30
I
D
,漏电流( A)
3
P
D
(W)
2.5
20
2
1.5
10
1
0.5
0
25
50
75
100
125
150
0
0
50
100
150
T
c
,外壳温度(
o
C )
T
c ,
外壳温度( C)
o
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
10
归热响应(R
thJC
)
DUTY=0.5
0.2
10us
I
D
(A)
100us
1
0.1
0.1
0.05
1ms
10ms
0.1
0.02
P
DM
100ms
T
c
=25
o
C
单脉冲
t
0.01
单脉冲
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
1
10
100
1000
10000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
(V)
T,脉冲宽度(S )
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
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