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    AP04N70BF-H 参数 Datasheet PDF下载

    AP04N70BF-H图片预览
    型号： AP04N70BF-H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 72 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP04N70BF-H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP04N70BF-H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP04N70BF-H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP04N70BF-H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AP04N70BF-H的Datasheet PDF文件第6页  
    AP04N70BF-H
    电气特性@ T
    j
    =25
    o
    ℃（除非另有规定）
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /ΔT
    j
    参数
    漏源击穿电压
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =1mA
    分钟。
    700
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    0.6
    -
    -
    2.5
    -
    -
    -
    16.7
    4.1
    4.9
    11
    8.3
    23.8
    8.2
    950
    65
    6
    MAX 。单位
    -
    -
    2.4
    4
    -
    10
    100
    ±100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    V/℃
    Ω
    V
    S
    uA
    uA
    nA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    pF
    pF
    击穿电压温度系数
    参考25 ℃ ，我
    D
    =1mA
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    静态漏源导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =25
    o
    C)
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =150
    o
    C)
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =2A
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    =2A
    V
    DS
    =600V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =480V
    ,
    V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±30V
    I
    D
    =4A
    V
    DS
    =480V
    V
    GS
    =10V
    V
    DD
    =300V
    I
    D
    =4A
    R
    G
    =10Ω,V
    GS
    =10V
    R
    D
    =75Ω
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =25V
    f=1.0MHz
    栅源漏
    总栅极电荷
    3
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    3
    源极 - 漏极二极管
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    注意事项：
    1.Pulse宽度有限的安全工作区。
    2.Starting TJ = 25°C ，V
    DD
    = 50V ，L = 25mH ，R
    G
    =25Ω , I
    AS
    =4A.
    3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
    o
    参数
    连续源电流（体二极管）
    测试条件
    V
    D
    =V
    G
    =0V , V
    S
    =1.5V
    1
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    MAX 。单位
    4
    15
    1.5
    A
    A
    V
    脉冲源电流（体二极管）
    正向电压上
    3
    T
    j
    =25℃, I
    S
    = 4A ，V
    GS
    =0V
    2/6

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