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    AP20P02H 参数 Datasheet PDF下载

    AP20P02H图片预览
    型号： AP20P02H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 84 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP20P02H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP20P02H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP20P02H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP20P02H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP20P02H的Datasheet PDF文件第6页  
    AP20P02H/J
    8
    10000
    I
    D
    = -8A
    V
    DS
    = -16V
    -V
    GS
    , Gate to Source Voltage (V)
    6
    1000
    f=1.0MHz
    Ciss
    C (pF)
    4
    Coss
    100
    2
    Crss
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    10
    1
    7
    13
    19
    Q
    G
    , Total Gate Charge (nC)
    -V
    DS
    (V)
    Fig 9. Gate Charge Characteristics
    Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
    100
    1.2
    0.9
    10
    -I
    S
    (A)
    T
    j
    =150
    o
    C
    T
    j
    =25
    o
    C
    -V
    GS(th)
    (V)
    1.4
    0.6
    1
    0.3
    0
    0.2
    0.5
    0.8
    1.1
    0
    -50
    0
    50
    100
    150
    -V
    SD
    (V)
    T
    j
    , Junction Temperature (
    o
    C)
    Fig 11. Forward Characteristic of
    Reverse Diode
    Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
    Junction Temperature

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