AP01L60T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP01L60T
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内容描述：	N沟道增强模式 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 71 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP01L60T

1000

f=1.0MHz

, Gate to Source Voltage (V)

=1.0A

=480V

Ciss

100

C (pF)

Coss

Crss

1.5

4.5

, Total Gate Charge (nC)

DS ,

Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

1.2

, Drain Current (A)

0.9

0.6

(W)

100

125

150

0.3

100

150

, Case Temperature ( C )

, Case Temperature (

Fig 9. Maximum Drain Current v.s.

Fig 10. Typical Power Dissipation

Case Temperature

90%

10V

10%

d(on)

d(off)

Charge

Fig 11. Switching Time Waveform

Fig 12. Gate Charge Waveform

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