FP31QF
2瓦HFET
通信EDGE
TM
产品信息
应用电路: 870 - 960兆赫( FP31QF - PCB900 )
应用电路被匹配为输出功率。
典型的射频性能
漏极偏置= 9 V,I
ds
= 450毫安,25°C
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
( +18 dBm的/音, 1 MHz的间距)
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
DBM
870
18.3
-15
-9.3
+33.9
3.4
915
18
-20
-12
+34
+46
3.5
+27.8
960
17.7
-16
-16
+33.7
3.5
噪声系数
IS- 95信道功率
@ -45 dBc的ACPR
材料清单
参考文献。 DESIG 。
C1, C4, C8, C10
C2, C3
C6, C11
C7
C12
L1, L2
L3
R1
R2
Q1
C5
•
•
•
•
价值
100 pF的
4.7 pF的
0.018
µF
1000 pF的
0.1
µF
27 nH的
3.3 nH的
10
Ω
51
Ω
FP31QF
部分款式
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
绕线片式电感
多层片式电感器
贴片电阻
贴片电阻
WJ 2W HFET
不要将
SIZE
0603
0603
0805
0603
1206
0805
0603
0603
0603
QFN 6x6的
C2
C3
电路板材料: 0.014 “ FR- 4 ( ε
r
= 4.6),
4层(其它层增加了刚性) , 0.062 “总厚度1盎司纯铜
主微带线具有50线的阻抗
Ω.
在C2和C3存款是在丝印标记, “ H”和“ 9.5” ,分别。
沿着主微带线的通孔间距为0.040 “ 。
从FP31QF到L3的更靠近边缘的边缘的距离为0.305 “ 。
在示意性示出的传输线长度是从FP31QF
装置边缘到组件的边缘。
CA P
CA P
帽
ID=C6
ID = C7
ID=C8
C = 10 0 pF的C = 100 pF的0 C = 1.8E 4 pF的
-Vgg
VDS = 9V @ 450毫安
帽
ID=C12
C = 1E 5 pF的
水库
ID=R2
R = 51欧姆
帽
ID=C11
C = 1.8E 4 pF的
帽
ID = C10
C = 10 pF的0
帽
ID=C5
C = pF的DNP
TL INP
ID=TL1
Z0 = 50欧姆
L = 500万
连翘醇提物= 3 0.46
Loss=0
F0 = 0兆赫
P ORT
P =1
Z = 50欧姆
帽
ID=C1
C = 10 pF的0
IND
ID=L3
L = 3.3 nH的
IND
ID=L1
L = 2 7 nH的
1
2
IND
ID=L2
L = 2 7 nH的
帽
P ORT
ID=C4
P =2
C = 10 pF的0 Z = 50欧姆
帽
ID=C2
C = 4.7 pF的
水库
ID=R1
R = 10欧姆
SUB CKT
ID=Q1
NET="FP31QF"
TL INP
ID=TL2
Z0 = 50欧姆
L = 520万
连翘醇提物= 3 0.46
Loss=0
F0 = 0兆赫
帽
ID=C3
C = 4.7 pF的
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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2004年11月