FP31QF
2瓦HFET
典型的射频性能
漏极偏置= 9 V，I
ds
= 450毫安，25°C
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
（ +18 dBm的/音， 1 MHz的间距）
通信EDGE
TM
产品信息
参考设计： 2400年至2500年兆赫
应用电路被匹配为输出功率。
测量S参数
15
10
5
0
（ dB）的
-5
-10
-15
-20
DB(|S[1,1]|)
DB(|S[2,1]|)
DB(|S[2,2]|)
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
2400
2500
12.1
12.0
-13
-16
-13
-17
+33.5
+46.8
4.6
噪声系数
2.4 - 2.5 GHz的参考电路如图仅作为设计目的。一
评估板是不容易获得这种应用。读者可以
获取任何FP31QF评估板和显示电路修改
实现在此参考设计中所示的性能。
-25
2.3
2.35
2.4
2.45
2.5
频率（GHz ）
2.55
2.6
材料清单
参考文献。 DESIG 。
C1, C4, C8, C10
C2, C3
C6, C11
C7
C12
L1, L2
L3
R1
R2
Q1
C5
•
•
•
•
电路板材料： 0.014 “ FR- 4 （ ε
r
= 4.6),
4层（其它层增加了刚性） ， 0.062 “总厚度1盎司纯铜
主微带线具有50线的阻抗
Ω.
价值
22 pF的
1.5 pF的
0.018
µF
1000 pF的
0.1
µF
12 nH的
3.3 nH的
5.1
Ω
50
Ω
FP31QF
部分款式
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
绕线片式电感
多层片式电感器
贴片电阻
贴片电阻
WJ 2W HFET
不要将
SIZE
0603
0603
0805
0603
1206
0805
0603
0603
0603
QFN 6x6的
C2
C3
在C2和C3存款是在丝印标记， “A”和“2” ，分别为。
沿着主微带线的通孔间距为0.040 “ 。
从FP31QF到L3的更靠近边缘的边缘的距离为0.305 “ 。
在示意性示出的传输线长度是从FP31QF
装置边缘到组件的边缘。
CA P
CA P
帽
ID=C8
ID=C6
ID = C7
C = 2 2 pF的C = 100 pF的0 C = 1.8E 4 pF的
-Vgg
VDS = 9V @ 450毫安
帽
ID=C12
C = 1E 5 pF的
水库
ID=R2
R = 51欧姆
帽
ID=C11
C = 1.8E 4 pF的
帽
ID = C10
C = 2 2 pF的
帽
ID=C5
C = pF的DNP
TLINP
ID = TL1
Z0 = 50欧姆
L = 150万
连翘醇提物= 3 0.46
丢失= 0
F0 = 0兆赫
IND
ID=L1
L = 1 2 nH的
2
P ORT
P =1
Z = 50欧姆
帽
ID=C1
C = 2 2 pF的
IND
ID=L3
L = 3.3 nH的
IND
ID=L2
L = 1 2 nH的
帽
ID=C4
C = 2 2 pF的
P ORT
P =2
Z = 50欧姆
1
帽
ID=C2
C = 1.5 pF的
水库
ID=R1
R = 5.1欧姆
SUB CKT
ID=Q1
NET="FP31QF"
TL INP
ID=TL2
Z0 = 50欧姆
L = 180万
连翘醇提物= 3 0.46
Loss=0
F0 = 0兆赫
帽
ID=C3
C = 1.5 pF的
规格和信息如有变更，恕不另行通知
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2004年11月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
