FP2189
1 - 瓦HFET
产品信息
应用电路: 870 - 960兆赫( FP2189 - PCB900S )
应用电路被匹配为输出功率。
典型的射频性能
漏极偏置= 8 V,I
ds
= 250毫安, 25℃
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
( +15 dBm的/音, 1 MHz的间距)
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
DBM
870
18.9
-24
-7.6
+30.0
915
18.7
-21
-8.3
+30.2
+42.8
960
18.4
-12
-9.6
+30.0
噪声系数
IS- 95信道功率
@ -45 dBc的ACPR
4.2
4.5
+24.5
4.5
帽
帽
帽
ID = C3
ID = C4
ID = C10
C = 100 pF的C = 1000 pF的C = pF的DNP
-Vgg
VDS = 8V @ 250毫安
帽
ID = C11
C = 1E5 pF的
帽
ID = 12
C = pF的DNP
水库
ID = R1
R = 100欧姆
帽
ID = C8
C = 1000 pF的
帽
ID = C7
C = 100 pF的
帽
ID = C6
C = pF的DNP
帽
ID = C13
C = pF的DNP
帽
ID = C2
C = pF的DNP
SUBCKT
ID = Q1
NET="FP2189"
2
PORT
P=1
Z = 50欧姆
帽
ID = C1
C = 100 pF的
IND
ID = L4
L = 5.6 nH的
IND
ID = L1
L = 18 nH的
IND
ID = L2
L = 5.6 nH的
IND
ID = L3
L = 82 nH的
帽
PORT
ID=C9
P=2
C = 100 pF的Z = 50欧姆
1
帽
ID=C15
C = 4.7 pF的
水库
ID = R2
R = 10欧姆
帽
ID = C5
C = 2.4 pF的
帽
ID = C14
C = pF的DNP
材料清单
参考文献。 DESIG 。
C1, C3, C7, C9, C13
C4, C8
C5
C11
L1
L2, L4
L3
R1
R2
Q1
C2, C6, C10, C12, C14
价值
100 pF的
1000 pF的
2.4 pF的
0.1
µF
18 nH的
5.6 nH的
82 nH的
100 O
10 O
FP2189
部分款式
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
多层片式电感器
多层片式电感器
多层片式电感器
贴片电阻
贴片电阻
WJ 1W HFET
不要将
SIZE
0603
0603
0603
1206
0603
0603
0603
0603
0603
SOT-89
14万GETEK
TM
ML200DSS ( ER = 4.2 )
主微带线具有50 O.线路阻抗
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
WJ通信公司
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2004年9月