FP2189
1 - 瓦HFET
产品信息
参考设计： 2400至2600年兆赫
应用电路被匹配为输出功率。
典型的射频性能
漏极偏置= 8 V，I
ds
= 250毫安， 25℃
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
（ +15 dBm的/音， 1 MHz的间距）
S-参数
20
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
2400
12.9
-14.5
-7.9
+31.1
+45.0
2500
13.0
-26
-9.6
+31.2
+45.3
2600
12.6
-15
-11.4
+30.8
+47.0
10
DB(|S[1,1]|)
DB(|S[2,1]|)
DB(|S[2,2]|)
（ dB）的
0
-10
-20
-30
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
频率（GHz ）
2.7
2.8
2.4 - 2.6 GHz的参考电路如图仅作为设计目的。一
评估板是不容易获得这种应用。读者可以
获得FP2189 - PCB2140S评估板和电路修改
示以实现在该参考设计中所示的性能。
帽
ID=C3
C = 33 pF的
VDS = 8V @ 250毫安
帽
ID = C8
C = pF的1E4
-Vgg
水库
ID=R1
R = 10欧姆
帽
ID=C2
C = pF的DNP
帽
ID = C6
C = 22 pF的
帽
ID = C7
C = 1000 pF的
IND
ID=L1
L = 5.6 nH的
PORT
P= 1
Z = 50欧姆
帽
ID=C1
C = 22 pF的
TLIN
ID=TL1
Z0 = 50欧姆
EL = 11.8度
F0 = 2400 MHz的
SUBCKT
ID=Q1
NET="FP2189"
水库
ID=R2
R = 5.6欧姆
1
2
TLIN
ID = TL2
Z0 = 50欧姆
EL = 23.5度
F0 = 2400 MHz的
IND
ID = L2
L = 18 nH的CAP
ID=C9
C = 22 pF的
PORT
P= 2
Z = 50欧姆
帽
ID=C4
C = pF的DNP
帽
ID=C11
C = 1.8 pF的
帽
ID=C5
C = 1.3 pF的
材料清单
参考文献。 DESIG 。
C1, C6, C9
C3
C5
C11
C7
C8
L1
L2
R1
R2
Q1
C2, C4
价值
22 pF的
33 pF的
1.3 pF的
1.8 pF的
1000 pF的
0.1
µF
5.6 nH的
18 nH的
10 O
5.6 O
FP2189
部分款式
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
多层片式电感器
多层片式电感器
贴片电阻
贴片电阻
WJ 1W HFET
不要将
SIZE
0603
0805
0603
0603
0603
1206
0603
0603
0603
0603
SOT-89
14万GETEK
TM
ML200DSS （E
r
= 4.2)
主微带线具有50 O.线路阻抗
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
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2004年9月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
