WFF640
电气特性（TC = 25 ° C）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
Qg
QGS
QGD
tf
花花公子
VDD = 160 V，
VGS = 10V ，
ID = 18A
(Note4,5)
-
-
8
22
13
39
nC
RG = 25 Ω
(Note4,5)
-
-
-
327
108
-
-
-
70
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
测试条件
VGS = ± 30 V ， VDS = 0V
IG = ± 10 μA ， VDS = 0V
VDS = 200 V， VGS = 0 V
ID = 250 μA ， VGS = 0 V
VDS = 10V ， ID = 250 μA
VGS = 10V ， ID = 9A
VDS = 50V， ID = 9A
VDS = 25 V ，
VGS = 0 V ，
F = 1 MHz的
VDD = 100 V，
ID = 18一
民
-
±30
-
200
2
-
6.7
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
-
-
1300
-
-
54
104
最大
±100
-
10
-
4
0.18
-
1760
245
65
-
-
单位
nA
V
μA
V
V
Ω
S
pF
ns
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25°C ）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
IDR = 18 A， VGS = 0 V
IDR = 18A ， VGS = 0 V ，
dIDR / DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
1.4
195
1.48
最大
18
72
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
μC
记
1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L=18.5mH,I
AS
=18A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤18A ，二/ dt≤300A / US ，V
DD
<BV
DSS
，起动TJ = 25 ℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.Essentially独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，全方位为您提前
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
