WFF640
硅N沟道MOSFET
特点
■
18A,200V.R
DS （ ON）
（最大值0.18Ω ） @V
GS
=10V
■
超低栅极电荷（典型值16nC ）
■
快速开关能力
■
100％的雪崩测试
■
绝缘电压（V
ISO
= 4000V AC）
■
最高结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产
条纹， DMOS技术。这一最新技术已
尤其
旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的坚固
雪崩特性。该设备是专非常适合
低电压应用，如汽车，效率高
切换为DC / DC变换器和DC电机控制。
G
D
S
TO220F
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
减额在25℃以上因素
结温和存储温度
（注
2)
（注
1)
（注3）
(Note1)
参数
价值
200
18*
12*
72*
±30
258
13
5.5
44
0.35
-55~150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
通道
温度
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
民
-
-
-
价值
典型值
-
0.5
-
最大
2.85
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
牧师，C 2008年12月
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T03-1
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
