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SFP50N06 参数 Datasheet PDF下载

SFP50N06图片预览
型号: SFP50N06
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内容描述: 硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 482 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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SFP50N06
电气特性(TC = 25 ° C)
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
测试条件
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
I
G
= -10 μA ,V
DS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
-
±20
-
-
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
-
20
22
1180
64
440
15
105
60
65
31
最大
±100
-
1
250
-
4
22
-
1540
91
580
40
220
单位
nA
V
μA
μA
V
V
mΩ
s
漏截止电流
I
DSS
V
DS
= 60 V ,TC = 125°C
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
tf
花花公子
Qg
QGS
QGD
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
=250 μA
V
GS
= 10 V,I
D
= 25A
V
DS
= 25V ,我
D
= 25A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=30V
I
D
=25A
R
G
=25 Ω
V
GS
= 10V
(Note4,5)
VDD = 48 V ,
VGS = 10V ,
ID = 50 A
(Note4,5)
pF
ns
130
140
41
-
-
-
-
-
-
8
13
nC
源极 - 漏极额定值和特性(Ta = 25°C )
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
= 35A , VGS = 0 V
I
DR
= 35A , VGS = 0 V ,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
52
75
最大
59
200
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
μC
1.Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
2.L=0.5mH,I
AS
=25A,V
DD
=25V,V
GS
= 10V ,起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤25A ,二/ dt≤380A / US ,V
DD
<BV
DSS
,起动TJ = 25 ℃
4.Pulse测试:脉冲Width≤300us ,职务Cycle≤2 %
5.Essentially独立的工作温度。
2/7
稳定,让你提前