SFP50N06 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SFP50N06
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 482 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

SFP50N06

硅N沟道MOSFET

特点

■

DS （ ON）

（最大22MΩ ） @V

=10V

■

超低栅极电荷（典型值31nC ）

■

快速开关能力

■

100％的雪崩测试

■

最高结温范围（ 150 ℃ ）

概述

使用Winsemi的沟槽产生这种功率MOSFET布局为主

相比process.This技术提高性能

标准件从各种来源。所有这些功率MOSFET是

开关稳压器，开关转换器专为应用，

电机和继电器驱动器，以及高功率双极开关驱动器

晶体管苛刻的高速，低栅极驱动电源。

TO220

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

英镑

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

减额在25℃以上因素

结温和存储温度

通道温度（ 10秒）

（注2 ）

（注3）

(Note1)

参数

价值

200

±25

480

5.8

130

1.3

-55~150

300

单位

V / ns的

W/℃

℃

热特性

符号

QJC

QCS

qJA

参数

热阻，结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

热阻，结到环境

民

价值

典型值

0.5

最大

0.96

单位

℃/W

62.5

℃/W

牧师，C 2008年11月

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