WMBT5551LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WMBT5551LT1
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内容描述：	NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 43 K
品牌：	WINGS [ WING SHING COMPUTER COMPONENTS ]

WMBT5551LT1

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

最大

单位

基本特征

直流电流增益

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）

的hFE

（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）

（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）

（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）

基地 - 发射极饱和电压

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）

（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）

VBE （ SAT ）

—

1.0

VCE （ SAT ）

—

0.15

250

—

VDC

—

0.20

VDC

1.0

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