WMBT5551LT1
NPN硅
晶体管
1
BASE
2
辐射源
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
160
180
集热器
3
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
6.0
600
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
R
q
JA
TJ ， TSTG
- 55 〜+ 150
° C / W
°C
器件标识
MMBT5550LT1 = M1F ; MMBT5551LT1 = G1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 120伏， IE = 0 ）
（ VCB = 120伏， IE = 0 ， TA = 100 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 0.0伏， IC = 0 ）
5
IEBO
—
50
V（ BR ） CEO
160
V（ BR ） CBO
180
V（ BR ） EBO
6.0
ICBO
—
—
—
—
NADC
50
μAdc
50
NADC
—
—
—
VDC
—
—
VDC
VDC
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1
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