WCMS0808U1X
开关特性
在整个工作范围
WCMS0808U1X
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
WE高到低Z
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
10
25
0
70
70
60
60
0
0
50
30
0
25
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
4.无输入可能超过V
CC
+0.3V.
5.测试条件假设的5纳秒或VCC / 2 ， 0输入脉冲电平到Vcc和输出的时间小于参考电平信号转换时间
装载指定I的
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定
装置。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写和
两种信号可以通过去HIGH终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的上升沿那
结束写入。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
第10 4
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
