超前信息
WCMC1616V9X
特点
• 1T细胞, PSRAM架构
•高速: 70纳秒
•宽电压范围:
— V
CC
范围: 2.7V至3.3V
•低有功功率
- 典型工作电流:2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流: 13毫安@频率= F
最大
•低待机功耗
•自动断电时取消
功能说明
[1]
该WCMC1616V9X是一个高性能的CMOS伪
16位组织为1M字静态RAM ( PSRAM )的
支持异步存储器接口。该装置
功能先进的电路设计,提供超低活跃
电流。这是理想的提供更多的电池寿命
TM
(的MoBL
®
)在便携式应用中,诸如蜂窝电话。
该装置可被置于待机模式降低了功率
在使用CE取消了超过99 %的消费
低,CE
2
高或都BHE和BLE的高。该
输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
1 5
)被放置在一个
当高阻抗状态:取消( CE HIGH , CE
2
低
OE被拉高HIGH) ,或写操作期间(芯片
启用和写使能WE低)。该器件还具有一个
自动断电功能,可显著降低
99%的功耗,当地址不切换
即使当选择的芯片(芯片使能CE LOW时, CE的
2
高和两个BHE和BLE的低)。从阅读
设备由断言芯片来完成启用( CE
LOW和CE
2
高)和输出使能( OE )低,而
强迫写使能( WE) HIGH 。如果低字节使能( BLE )
为低时,从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
( BHE )为低电平,然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。见真情表中读取一个完整的描述
写模式。
1MB ×16伪静态RAM
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
RO瓦特解码器
1M ×16
RAM阵列
1T
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
CE
2
CE
POW
-
唐氏儿
电路
BHE
BLE
注意:
1.对于最佳实践的建议,请参阅在http赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” : //www.cypress .COM 。
WeidaSemiconductor公司
文件编号: 38-14027牧师**
修订后的2001年8月22日