超前信息
开关特性
（在整个工作范围内）
[11]
WCMC1616V9X
WCMC1616V9X-70
参数
读周期
t
RC
t
A A
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
SK
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
S A
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
低CE和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12, 14]
OE高到高Z
[12, 14]
[12, 14]
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
5
25
70
5
25
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
低CE和CE
2
高到低Z
CE和高CE
2
低到高Z
[12, 14]
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[12, 14]
BLE / BHE高来高-Z
[12, 14]
地址偏移
写周期时间
低CE和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 14]
WE高到低Z
[12, 14]
70
55
55
0
0
55
55
25
0
25
5
注意事项：
11.测试条件假设1V / ns的或更高的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2 ，输入脉冲为0V电平到V
CC （典型值） ，
和输出负载
指定I的
OL
/I
Ø ħ
和30 pF负载cpacitance
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和T
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写
14.高-Z和低Z参数表征，不是100 ％测试。
文件编号： 38-14027牧师**
第13 6
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
