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WCMB2016R4X-FF70 参数 Datasheet PDF下载

WCMB2016R4X-FF70图片预览
型号: WCMB2016R4X-FF70
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内容描述: 128K ×16静态RAM [128K x 16 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 214 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
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WCMB2016R4X
电气特性
在整个工作范围
WCMB2016R4X
ETER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
& LT ; V
CC
输出漏电流
租金
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
& LT ; V
CC
,输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
测试条件
I
OH
=
−0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
分钟。
1.4
典型值。
马克斯。
0.2
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
1.4
−0.2
−1
−1
1.5
0.5
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
6
2
I
CC
V
CC
= 1.95V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
−0.2V,
V
IN
>Vcc - 0.2V ,V
IN
<0.2V
f = f
最大
(地址和数据只) ,
F = 0 ( OE , WE , BHE和BLE )
CE > V
CC
−0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
−0.2V
或V
IN
& LT ; 0.2V ,
F = 0 , VCC = 1.95V
1
8
µA
I
SB2
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= V
CC (典型值)
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻(结
到环境)
热阻(结
以案例)
注意:
5.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中,焊接在4.25 X 1.125英寸, 4层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
3